IDB15E60

Производитель-деталь №
IDB15E60
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
Загрузить
Описание
DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
29.2A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
87 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2 V @ 15 A
lang_0258
IDB15E60

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • SMC Diode Solutions
    STANDARD RECTIFIER 1000V SOD-123
  • Diodes Incorporated
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
  • Comchip Technology
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IDB10S60C Infineon Technologies 35,000 DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
IDB10S60CATMA2 Infineon Technologies 35,000 DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK
IDB12E120ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
IDB15E60ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263
IDB18E120 Infineon Technologies 21,100 RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V
IDB18E120ATMA1 Infineon Technologies 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3