IDB18E120
- Производитель-деталь №
- IDB18E120
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- Загрузить
- Описание
- RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V
- lang_0071
- 21100
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 31A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 100 µA @ 1200 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 150°C
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 195 ns
- Speed :
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- 14-TSSOP
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 1200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 2.15 V @ 18 A
- lang_0258
- IDB18E120
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| IDB10S60C | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK |
| IDB10S60CATMA2 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK |
| IDB12E120ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3 |
| IDB15E60 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 |
| IDB15E60ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263 |
| IDB18E120ATMA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3 |
