IDB09E60ATMA1

Производитель-деталь №
IDB09E60ATMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
Загрузить
Описание
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
19.3A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
75 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
2 V @ 9 A
lang_0258
IDB09E60ATMA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • SMC Diode Solutions
    STANDARD RECTIFIER 1000V SOD-123
  • Diodes Incorporated
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
  • Comchip Technology
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IDB06S60C Infineon Technologies 35,000 DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
IDB06S60CATMA2 Infineon Technologies 35,000 DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2